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SiC功率器件(HMDS烘箱)的性能優(yōu)勢(shì)
來(lái)源: | 作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部 | 發(fā)布時(shí)間: 2024-04-17 | 606 次瀏覽 | 分享到:


SiC 是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近幾年,SiC功率器件HMDS烘箱)得到越來(lái)越多的商業(yè)化應(yīng)用,在光伏、風(fēng)電、電動(dòng)汽車及軌道交通等中高功率電力系統(tǒng)應(yīng)用上具有巨大的優(yōu)勢(shì)。例如電動(dòng)汽車使用 SiC模塊,其體積減小到原來(lái)的五分之一。SiC 肖特基二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、不間斷電源、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域,顯著減少電路損耗,提高工作頻率,減小電感等元件體積,提高系統(tǒng)功率密度。

以 SiC 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件,具有更小的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度和更高的阻斷電壓,為電源技術(shù)提供了難得的發(fā)展機(jī)遇,采用寬禁帶半導(dǎo)體器件,可以實(shí)現(xiàn)更高的變換效率,更高的功率密度,更高的可靠性。

以 SiC 材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體因其具有高耐壓、低損耗、高效率等優(yōu)異特性,被視為“理想器件”而備受期待。在攻克 SiC 功率器件后,將轉(zhuǎn)向?qū)崿F(xiàn)兆赫茲電源的系列問(wèn)題,如磁性器件高頻化設(shè)計(jì)、磁集成技術(shù)、高頻大功率電源電磁兼容技術(shù)等,由此將帶來(lái)電源技術(shù)的突破,真正實(shí)現(xiàn)高性能、微型化的新一代宇航電源。功率開關(guān)器件是推動(dòng)電源技術(shù)跨越式發(fā)展的基石,SiC功率器件HMDS烘箱)的出現(xiàn)將推動(dòng)電源技術(shù)更新?lián)Q代,再創(chuàng)輝煌,由此將帶來(lái)宇航電源技術(shù)和產(chǎn)品的全面革新,引領(lǐng)宇航電源技術(shù)的發(fā)展,實(shí)現(xiàn)更小的體積和質(zhì)量、更優(yōu)異的性能、更大的功率和更高的可靠性,從而助力整個(gè)航天技術(shù)的發(fā)展。

SiC功率器件(HMDS烘箱)用途:

光刻是半導(dǎo)體制造過(guò)程中不可或缺的一部分。它用于描繪代表硅晶片表面特定器件或電路結(jié)構(gòu)的圖案。這些圖案由光刻膠掩模制成,可保護(hù)其下方的基板免受后續(xù)處理。未受保護(hù)表面的物理或電氣特性會(huì)被各種類型的工藝步驟改變,例如蝕刻、沉積、離子注入、濺射等。這個(gè)循環(huán)重復(fù)多次,直到完成整個(gè)器件。光刻是一個(gè)耗時(shí)且昂貴的過(guò)程。附著力不足通常會(huì)導(dǎo)致 PR 翹起、圖案變形,在剝離抗蝕劑后需要再次重復(fù)該過(guò)程。如果 JS-HMDS90 烘箱蒸汽底漆工藝可以在兩周內(nèi)消除一次光刻返工工藝,因?yàn)榕c使用涂布機(jī)軌道的 HMDS 底漆相比,它們具有優(yōu)異的附著力,這將為任何晶圓廠節(jié)省大量成本和時(shí)間。